Patent- und Markenrecht

Wirkungslosigkeit dieser Entscheidung

Aktenzeichen  2 Ni 17/10 (EP)

Datum:
16.1.2015
Rechtsgebiet:
Gerichtsart:
BPatG
Gerichtsort:
München
Dokumenttyp:
Spruchkörper:
2. Senat

Tenor

In der Patentnichtigkeitssache


betreffend das europäische Patent EP 0 356 059
(DE 0 356 059)
hat der 2. Senat (Nichtigkeitssenat) des Bundespatentgerichts auf Grund der mündlichen Verhandlung vom  9. Oktober 2014 unter Mitwirkung der Vorsitzenden Richterin Sredl sowie der Richter Merzbach, Dipl.-Phys. Brandt, Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. Friedrich und Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. Zebisch
für Recht erkannt:
I. Das europäische Patent 0 356 059 wird im Umfang der Patentansprüche 1, 6 und 7 mit Wirkung für das Hoheitsgebiet der Bundesrepublik Deutschland teilweise für nichtig erklärt.
II. Die Kosten des Rechtsstreits trägt die Beklagte.
III. Das Urteil ist gegen Sicherheitsleistung in Höhe von 120 % des zu vollstreckenden Betrages vorläufig vollstreckbar.

Tatbestand

1
Die Beklagte ist Nachlassverwalterin der verstorbenen Inhaberin des durch Ablauf der Schutzdauer erloschenen Patents EP 0 356 059 (Streitpatent), das am 7. August 1989 angemeldet wurde und die Prioritäten der beiden US-Anmeldungen US 232 405 vom 15. August 1988 und US 234 802 vom 22. August 1988 in Anspruch nimmt. Das u. a. mit Wirkung für die Bundesrepublik Deutschland erteilte Patent trägt die Bezeichnung „Dotierungsverfahren für Halbleiter mit großer Bandlücke“ und umfasst die auf ein Verfahren gerichteten nebengeordneten Patentansprüche 1 und 7 sowie die jeweils unmittelbar auf den Anspruch 1 rückbezogenen Unteransprüche 2 bis 6.
2
Die Klägerinnen haben gegen das Patent Nichtigkeitsklage erhoben und beantragt, das Patent im Umfang der Ansprüche 1, 6 und 7 für nichtig zu erklären. Ihr Rechtsschutzinteresse an der Teilnichtigerklärung des Patents begründen sie mit der beim Landgericht Düsseldorf wegen Verletzung des deutschen Teils DE 689 29 145 des europäischen Patents EP 0 356 059 gegen sie erhobenen Verletzungsklage (AZ 4a O 58/09). Zur Begründung haben sie mit der Klage die Nichtigkeitsgründe der mangelnden Ausführbarkeit, der unzulässigen Erweiterung und der mangelnden Patentfähigkeit (mangelnde Neuheit und mangelnde erfinderische Tätigkeit) geltend gemacht.
3
Die Beklagte hat den Darlegungen der Klägerinnen in allen Punkten widersprochen und das Patent im erteilten Umfang, hilfsweise in beschränktem Umfang verteidigt.
4
Die mit der Nichtigkeitsklage angegriffenen Patentansprüche 1, 6 und 7 lauten in der Verfahrenssprache Englisch wie folgt:
5
„1. A process for the non-equilibrium incorporation of a dopant into a crystal (12, 14) of a wide band gap semiconductor, the process comprising the steps of simultaneously introducing substantially equal amounts of first and second compensating dopants of different mobilities into at least a portion (14) of the crystal (12, 14) such that the concentration of the less mobile of the two dopants in the portion (14) of the crystal is in excess of the solubility of the less mobile dopant therein in the absence of the more mobile of the two dopants, and then selectively removing therefrom the more mobile of the two dopants whereby there is left a non-equilibrium concentration of the less mobile dopant in the portion (14) of the crystal.6. A process according to Claim 1, wherein the more mobile dopant can move via interstitial sites and the less mobile dopant is at a substitutional site in the crystal.
6
7. A process for forming a p-n junction diode comprising the steps of preparing a substrate crystal (12) of a wide band gap semiconductor of one conductivity type and growing on a surface of the crystal (12) an epitaxial layer (14) comprising a crystal (14) produced by a process according to any one of the preceding claims characterized in that the less mobile dopant is characteristic of a conductivity type opposite that of the substrate crystal (12) and the two dopants are introduced into the epitaxial layer (14) in the course of its epitaxial growth.”
7
Die Patentansprüche 1, 6 und 7 nach dem Hilfsantrag lauten:
8
„1. Verwendung eines Verfahrens zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotier-stoffes in einem Kristall (12, 14) eines Halbleiters mit großer Bandlücke zur Herstellung einer Diode mit lichtemittierendem pn-Übergang, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: gleichzeitiges Einbringen im Wesentlichen gleicher Mengen erster und zweiter Ausgleichsdotierstoffe unterschiedlicher Beweglichkeiten in mindestens einen Abschnitt (14) des Kristalls (12, 14), so dass die Konzentration des weniger beweglichen der beiden Dotierstoffe im Abschnitt (14) des Kristalls die Löslichkeit des weniger beweglichen Dotierstoffes darin in der Abwesenheit des beweglicheren der Dotierstoffe überschreitet, und dann selektives Entfernen daraus des beweglicheren der beiden Dotierstoffe, wodurch eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger beweglichen Dotierstoffes im Abschnitt (14) des Kristalls hinterlassen wird.
9
6. Verwendung nach Anspruch 1, wobei der beweglichere Dotierstoff sich über Zwischengitterplätze bewegen kann und der weniger bewegliche Dotierstoff sich an einem Substitutionsplatz im Kristall befindet.7. Verfahren zur Bildung einer pn-Übergang-Diode, das die Schritte aufweist: Herstellen eines Substratkristalls (12) eines Halbleiters mit großer Bandlücke eines Leitfähigkeitstyps und Züchten auf einer Oberfläche des Kristalls (12) einer Epitaxialschicht (14) mit einem Kristall, der mittels einer Verwendung nach einem der Ansprüche 1 oder 6 hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der weniger bewegliche Dotierstoff charakteristisch für einen Leitfähigkeitstyp ist, der entgegengesetzt zu jenem des Substratkristalls (12) ist, und zwei Dotierstoffe in die Epitaxialschicht (14) im Verlauf ihrer Epitaxie eingebracht werden.“
        
10
Der Senat hat das Streitpatent mit Urteil vom 24. November 2011 im Umfang der erteilten Patentansprüche 1, 6 und 7 mit Wirkung für das Hoheitsgebiet der Bundesrepublik Deutschland für nichtig erklärt und der Beklagten die Kosten des Verfahrens auferlegt, wobei der Senat seine Darlegungen zur mangelnden Patentfähigkeit auf die Druckschrift D1 gestützt hat. Auf die Berufung der Beklagten hat der Bundesgerichtshof dieses Urteil aufgehoben und die Sache zu neuer Verhandlung und Entscheidung, auch über die Kosten der Berufung, an das Bundespatentgericht zurückverwiesen (X ZR 35/12 vom 18. Juni 2013). Die bislang zum Offenbarungsgehalt der Druckschrift D1 getroffenen Feststellungen rechtfertigten nicht den Schluss, die Druckschrift D1 offenbare die im erteilten Anspruch 1 gegebene Lehre, dass „eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger beweglichen Dotierstoffes im Abschnitt des Kristalls hinterlassen wird“. Auch fehle es an Feststellungen, ob es bei einer Nacharbeitung der in den Druckschriften D1 bzw. D2 und D4 bis D8 beschriebenen Vorgehensweisen zwangsläufig zu einem Gebrauch des Verfahrens nach Anspruch 1 des Haupt- bzw. des Hilfsantrags komme.
11
Die damit zusammenhängenden Fragen könnten ggfs. durch Auswertung von Äußerungen in der Fachliteratur geklärt werden, wobei hierbei auch nachveröffentlichte Dokumente berücksichtigt werden könnten, soweit sie lediglich Erkenntnisse über naturgesetzlich ablaufende Vorgänge vermittelten (vgl. BGH GRUR 2012, 1130, Rn. 24- „Leflunomid“).
12
Die Klägerinnen sind der Ansicht, das Streitpatent sei im beantragten Umfang für nichtig zu erklären. Zur Begründung haben sie auf folgende Dokumente hingewiesen:
13
D1 B. L. Crowder et al., Phys. Rev. 181, 1969, pp. 567-573
14
D2 H. Amano et al., Journal of Luminescence 40&41,
15
 1988, pp. 121-122 (veröffentlicht in der Februarausgabe 1988)
16
D2a Abstract zur D2 von www.sciencedirect.com (zum Nachweis des Veröffentlichungsmonats der D2)
17
D2b H. Amano et al., Appl. Phys. Lett. 48 (5), pp. 353-355 (3. Februar 1986)
18
D3 G. F. Neumark, Phys. Rev. Lett., 62(15), 1989, pp. 1800-1803 (veröffentlicht am 10. April 1989)
19
D4 DE 37 39 450 C2 bzw.D4a DE 37 39 450 A1 (Offenlegungstag 01. Juni 1988)
20
D5 T. Yasuda et al., Appl. Phys. Lett., 52, 1988, pp. 57-59 (veröffentlicht am 4. Januar 1988)D6 N. Shibata et al., Jpn. J. Appl. Phys., 27(2), 1988, pp. L251-L253 (veröffentlicht in der Februarausgabe 1988)D7 A. Ohki et al., Jpn. J. Appl. Phys., 27(5), 1988, pp. L909-L912 (veröffentlicht in der Maiausgabe 1988)
21
D8  J. D. Parsons et al., J. Cryst. Growth, 77, 1986, pp. 32-36D9  S.J. Pearton et al., Appl. Phys. A 43, 1987, pp. 153-195, und
22
D10 P.J. Dean, G.F. Neumark et al., Phys. Rev. B 27, 1983, pp. 2419-2428 (im Streitpatent als Stand der Technik angegeben)
23
D17 H. Amano et al., Jpn. J. of Appl. Phys., 28 (Nr. 12), pp. L 2112- 2114 (December 1989)
24
NK1 Klageschrift der Verletzungsklage
25
NK2 Streitpatent DE 689 29 145 T2 (DE-Übersetzung)NK3  MerkmalsgliederungNK4 Replik im VerletzungsverfahrenNK5 Offenlegungsschrift EP 0 356 059 A2NK6 Prioritätsdokument US 5 252 499NK7 Prioritätsdokument US 4 904 618NK8 Anlage K86 zur Replik im VerletzungsverfahrenNK9 Handelsregisterauszug und
26
NK10 Gutachten Prof. Dr. Hommel aus dem parallelen Verletzungsverfahren
27
In der mündlichen Verhandlung vom 9. Oktober 2014 stellen die Klägerinnen den Antrag,
28
das europäische Patent 0 356 059 mit Wirkung für das Hoheitsgebiet der Bundesrepublik Deutschland im Umfang der Patentansprüche 1, 6 und 7 für nichtig zu erklären.
29
Die Beklagte hat den Darlegungen der Klägerinnen in allen Punkten widersprochen und dabei auf die Dokumente
30
LR1 Merkmalsgliederung des Anspruchs 1
31
LR2 Protokoll zur Anhörung der Prüfungsabteilung des EPA vom 3. März 1999
32
LR3  DE 10 2007 019 079 A1
33
LR4 Kopie der Ursprungsanmeldung US 232405 mit Prioritätsbescheinigung des US-Patentamts und
34
LR 5 Kopie der Ursprungsanmeldung US 234802 mit Prioritätsbescheinigung des US-Patentamts
35
LR6 M. Aven, B. Segall, Phys. Rev.,130, Nr. 1, pp. 81 – 91
36
LR7 Billy L. Crowder, William N. Hammer, Phys. Rev., 150, Nr. 1, pp. 541 – 545
37
LR8 New Philips Electronics Professorship, 1 Blatt Internetausdruck aus http://engineering.columbia.edu/philips-electronics-professorship
38
LR9 Three Chairs for Columbia Engineering, 4 Blatt Internetausdruck aus http://engineering.columbia.edu/web/newsletterarchive/fall05/.
39
LR10 Auflistung der Patente der Patentfamilien der Beklagten
40
LR11 Engineering and Applied Science, Broschüre der Columbia University, 4 Blatt KopienLR12 Würdigung der Ehrendoktorwürde von Frau Prof. Gertrude Neumark, Schrift der Columbia University, 3 Blatt KopienLR13 Barnard College, Todesanzeige von Frau Prof. Gertrude Neumark, Internetausdruck aus http://alum.barnard.edu/s/1133/index2,aspx?sid=1133&gid=.LR14 J.H Crawford jr. et al (Eds.): Point Defects in Solids, Vol. 2, New York 1975, pp 163-189,LR 14/II Eintrag „Elektronenspinresonanz-Spektroskopie“, abrufbar unter http://www.spektrum.de/lexikon/chemieLR 15 Kopie des Scientific Background on the Nobel Prize in Physics 2014: Efficient Blue-Light Emitting Diodes Leading To Bright And Energy- Saving White Light Sources
41
hingewiesen.
42
In der mündlichen Verhandlung stellt sie den Antrag,
43
die Klage abzuweisen;
44
hilfsweise beantragt sie, den angegriffenen Patentansprüchen 1, 6 und 7 die Fassung des in der mündlichen Verhandlung vom 24. November 2011 überreichten Hilfsantrags zu geben.
45
Der Senat hat zur Klärung des Sachverhalts mit Zwischenbescheid vom 5. Juni 2014 auf die Druckschriften
46
D11 US 6 100 546 A (nachveröffentlicht)
47
D12 „Metallorganische Gasphasenepitaxie“, aus Wikipedia, der freien M Enzyklopädie (Veröffentlichungsdatum: 30. September 2012)
48
D13 S. J. Pearton et al.: Unintentional Hydrogenation of III-V-Semiconductors During Device Processing“,
49
 Materials Science Forum, Vols. 83-87 (1992), S. 617- 622 (nachveröffentlicht)
50
D14 S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol: The Blue Laser Diode: The complete story; 2. updated and extended ed.; Springer-Verlag, 2000, S. 113 – 147
51
D15 M. Suzuki: Study on the doping technologies of wide band gap semiconductors for the development of light emitting devices, 2007
52
D16 US 3 541 375
53
LRB4 Ch. Van de Walle, Jörg Neugebauer: Hydrogen in Semiconductors, Annu. Rev. Mat. Res., 2006, 36, S. 179 – 198 (nachveröffentlicht) und
54
E6 Shuji Nakamura, Gerhard Fasol: The Blue Laser Diode, GaN Based Light Emitters and Lasers, S. 104, 124, 325 und 326;
55
 Springer-Verlag, 1997 (nachveröffentlicht).
56
 verwiesen.

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